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场效应 IGBT 肖特基，达林顿，稳压管 三*管 FMG2G200US60

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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FSC *童*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Modules 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Configuration:Dual 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V 
Continuous Collector Current Ic Max:200 A 
Gate-Emitter Leakage Current: /- 100 nA 
Power Dissipation:695 W 
Package / Case:PM-HA 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 40 C 
Packaging:BULK
品牌

FRE*CALE/飞思卡尔

型号

FMG2G200US60

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）