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现货**童FQD2N100TM

地区：广东深圳

认证：无

结型场效应管深圳市飞捷士科技有限公司

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产品属性
相关推荐

FSC *童*代理

Manufacturer:

Fairchild Semiconductor

Product Category:

MOSFETs

RoHS:

RoHS Compliant by Exemption

Details

Product:

General Purpose MOSFETs

Configuration:

Single

Package / Case:

DPAK

Transistor Polarity:

N-Channel

Drain-Source Breakdown Voltage:

1000 V

Continuous Drain Current:

1.6 A

Power Dissipation:

2500 mW

Forward Transconductance gFS (Max / Min):

1.9 S

Resistance Drain-Source RDS (on):

9 Ohm @ 10 V

T*ical Fall Time:

35 ns

T*ical Rise Time:

30 ns

T*ical Turn-Off Delay Time:

25 ns

Packaging:

REEL

Gate-Source Breakdown Voltage:

/- 30 V

Maximum Operating Temperature:

150 C

Minimum Operating Temperature:

- 55 C

T*e:

MOSFET

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQD2N100TM

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）