现货飞兆FQPF12N60C

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant by Exemption Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220F 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:600 V 
Continuous Drain Current:12 A 
Power Dissipation:51000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):13 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.65 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:90 ns 
T*ical Rise Time:85 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:155 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET 

 

网上报价*供参考,订货前请电话确认!

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQPF12N60C

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

MW/微波

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)