TOSHIBA东芝场效应管 TK13A65U K13A65U *原装

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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TOSHIBA东芝*原装正品场效应管 TK13A65U  K13A65U

 

TOSHIBA东芝*原装正品场效应管 TK13A65U  K13A65U

 

TK13A65U  K13A65U产品规格  参数

 

数据列表 TK13A65U
Mosfets Prod Guide
 
产品相片 TK13A65U(STA4,Q,M)
 
产品目录绘图 TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
 
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 650V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 13A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  950pF @ 10V
 
功率 - *大 40W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220SIS
 
包装 管件
 
其它名称 TK13A65U(STA4QM)
 

 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  950pF @ 10V
 
功率 - *大 40W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220SIS
 
包装 管件
 
其它名称 TK13A65U(STA4QM)
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

TK13A65U K13A65U

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

MOS-TPBM/三相桥

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型