INFINEON*场效应管/散新管SPP04N60C3

地区:广东 深圳
认证:

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INFINEON*场效应管/散新管SPP04N60C3

 

INFINEON*场效应管/散新管SPP04N60C3

 

 SPP04N60C3产品规格  参数  PDF

 

Datasheets SPP,SPA04N60C3
Product Photos TO-220-3
Product Training Modules CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Catalog Drawings MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
Standard Package 500
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series CoolMOS™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 490pF @ 25V
Power - Max 50W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package PG-TO220-3
Packaging Tube
Catalog Page 1394 (US2011 Interactive)
1394 (US2011 PDF)
Other Names SP
SP
SP
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND 

 

品牌

INFINEON/英飞凌

型号

SPP04N60C3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)