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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*饱和电压: 2.1 V
栅*/发射**大电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
栅*—射*漏泄电流: /- 100 nA
功率耗散: 195 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-*-3
封装: Tube
集电**大连续电流 Ic: 80 A
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
Standard Pack Qty: 30
FAIRCHILD/*童
SGH80N60UFDTU
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)