北京供应原装**童IGBT单管 SGH80N60UFD

地区:北京
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结型场效应管 北京中天亚旭电子有限公司

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一、IGBT单管SGH80N60UFD主要技术参数

• High speed switching
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (t*.)

 

二、IGBT单管SGH80N60UFD实物拍摄


IGBT单管SGH80N60UFD

IGBT单管SGH80N60UFD

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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

SGH80N60UFD

材料

N-FET硅N沟道

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型