埸效应管IRF3205。现货热卖，价格从优

IRF3205概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3205参数
IRF3205基本参数
V_DSS		55 V
I_D@25℃		98 A
R_DS(on)Max		8.0 mΩ
IRF3205其他特性
FET*性		N型沟道
Qg T*		97.3 nC
IRF3205封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3205特性

*的工艺技术
贴片安装（IRF3205S）
低端通孔安装（IRF3205L）
*导通阻*
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
无铅*

原装正品，现货供应，大量批发

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时先生

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

供应IRF3205

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

材料

ALGaAS铝镓砷

供应埸效应管IRF3205。现货热卖，价格从优