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供应场效应管IRF640 *无铅

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市博恩通电子有限公司

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IRF640特点

 

晶体管*性:N沟道
漏*电流, Id *大值:18A
电压, Vds *大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs *高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF640

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DUAL/配对管

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

漏*电流

18（mA）

耗散功率

150（mW）