供应 IC 芯片IRF730原装*

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏*至源*电压(Vdss) 20V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.2A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 2.6A, 4.5V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 700mV @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 15V
 
功率 - *大 2W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
 
供应商设备封装 8-SO
 
包装 管件