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产品属性
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数据列表 IRL2203NPbF
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 116A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 7 毫欧 @ 60A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3290pF @ 25V
功率 - *大 180W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRL2203NPBF
IR/国际整流器
IRL2203NPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
CHIP/小型片状
SIT静电感应