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供应 IC 芯片IRF530N原装*

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结型场效应管深圳市耿城科技有限公司

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晶体管*性:ñ频道
电流, Id 连续:15A
电压, Vds *大:100V
在电阻RDS（上）:110mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
功耗, Pd:63W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
功率, Pd:63W
功耗:63W
器件标记:IRF530N
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏*电流, Id *大值:17A
热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs *高:4V
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab
3 s
针脚配置:a

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF530N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

AM/调幅

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道