供应MOS管 IRLS3034-7PPbF 可供样品
地区:广东 深圳
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金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的*性不同,可分为n-t*e与p-t*e的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)*缘层(图lc),*后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在*缘层上及两个孔内做成三个电*:G(栅*)、S(源*)及D(漏*),如图1d所示。
驱动IC
TO-263-7
IRLS3034-7PPbF
2007
锗(Ge)
IR/国际整流器
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