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产品属性
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ST13007D 参数表:
数据列表 | ST13007D |
产品相片 | t820t-6i |
其它有关文件 | ST13007D View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) -单路 |
系列 | - |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电* (Ic)(*大) | 8A |
电压 - 集电*发射*击穿(*大) | 400V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大) | 2V @ 2A,8A |
电流 - 集电*截止(*大) | 100µA |
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) | 8 @ 5A,5V |
功率 - *大 | 80W |
频率 - 转换 | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
深圳市福田区金益隆电子商行
:/ 手机: 网址:https://www.jinyilongdianzi.com
"
是
ST/意法
ST13007D
达林顿
硅(Si)
NPN型
400(V)
8(A)
80(W)
200(MHz)
肖特基
TO-220
金属封装