场效应管 STD2HNK60Z / STD2HNK60Z-1 / D2HNK60Z / 2N60
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
STD2HNK60Z中文资料：
制造商 | STMicroelectronics |
制造商*件编号 | STD2HNK60Z |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | SuperM*H™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8欧姆 @ 1A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 2A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
功率 - *大 | 45W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的*新信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
STD2HNK60Z订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
：（7线）
商务
MSN：
E-mail：
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：https://www.yufo-ic.cn/
ST/意法
STD2HNK60Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4.5（V）
280（pF）
2.000（mA）
45,000（mW）
