贴片 三*管SS8050 .Y1\ SS8550.Y2

参数名称

*号

测试条件

*小值

*大值

单位

集电*—基*击穿电压

V(BR)CBO

IC=100μA，IE=0      

40

V

集电*—发射*击穿电压

V(BR)CEO

IC=0.1μA，IB=0      

25

V

发射*—基*击穿电压

V(BR)EBO

IE=100μA，IC=0

5

V

基*截止电流

ICBO

VCB=40V,IE=0        

0.1

μA

集电*截止电流

ICEO

VCE=20V,IE=0

0.1

μA

发射*截止电流

IEBO

VEB=5V,IC=0

0.1

μA

直流电流增益

hFE（1）

VCE=1V,IC=100mA  

120

400

hFE（2）

VCE=1V,IC=800mA                     

40

集电*—发射*饱和电压

VcE(sat)

IC=800mA,IB=80mA        

0.5

V

基*—发射*饱和电压

VBE(sat)

IC=800mA,IB=80mA

1.2

V

特征频率

fT

VCE=10V,IC=50mA,f=30MHZ

100

MHZ