12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7809*TRPBF场效应管

参数
FET 类型  MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能  逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）  13.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）  9 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）  1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)  62nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)  3780pF @ 16V
功率 - *大值  2.5W

N-通道*MOSFET
处理CPU*DC-DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
*大限度地减少并行MOSFET的高电流
应用程序
100％测试的RG
无铅


描述
这种新的设备采用了*的HEXFET功率
MOSFET技术，实现了*的
导通电阻和栅*电荷平衡。减少
传导和开关损耗，使得它*适用于高
*DC-DC转换器，电源*新的
代微处理器。
*参数进行了优化的IRF7809*
*关键的同步降压转换器，包括
RDS（上）
栅*电荷和Cdv / dt引起导通*。
IRF7809*提供*低的RDS（on）
 和高
与Cdv /dt*扰性同步FET应用程序的。
该包装是专为气相，*，
对流，或波峰焊技术。功率
大于2W的功耗可能在一个典型的
PCB安装的应用程序。

 
封装图片展示