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增特科技代理NEC现货供应硅*频低噪声功率N型外延层三*管2S*226-T1
封装:SOT23-*in
*少包装:3000Pcs/Reel
库存数量:60K(深圳现货,大批量订货一周)
需求的客户请联系:、 唐先生需求样品和技术资料的客户请加工作QQ:601313094
2S*226描述:
2S*226硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF,UHF,CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上,为民用市场研制开发了系列高频微波三*管,包括2SC3356,2SC3357,BFQ591,2S*226,BFR540,BFR520等,其性能指标同NEC、philips同类产品类同。
2S*226参数:
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电*-发射*电压VCEO:12V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:3.0V
集电*直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式:SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性:*率
*性:NPN型
结构:扩散型
材料:硅(Si)
封装材料:塑料封装
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:40~250 @VCE=3V,IC=7mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
集电*允许电流IC:0.1(A)
集电**大允许耗散功率PT:0.2(W)
*功率增益∣S21∣:9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪声系数NF:1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反馈电容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
SOT23-3
2S*226-T1
硅(Si)
NEC/日本电气
功率