增特科技代理NEC硅*频低噪声功率管N型外延层三*管2S*226-T1

增特科技代理NEC现货供应硅*频低噪声功率N型外延层三*管2S*226-T1

封装：SOT23-*in

*少包装：3000Pcs/Reel

库存数量：60K（深圳现货，大批量订货一周）

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2S*226描述：

　　2S*226硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三*管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S*226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品类同。

2S*226参数：
　　类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
　　集电*-发射*电压VCEO：12V
　　集电*-基*电压VCBO:20V
　　发射*-基*电压VEBO:3.0V
　　集电*直流电流IC:100mA
　　总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
　　工作结温Tj:150℃
　　贮存温度Tstg:-65~150℃
　　封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
　　功率特性：*率
　　*性：NPN型
　　结构：扩散型
　　材料：硅(Si)
　　封装材料：塑料封装
　　电性能参数（TA=25℃）：
　　击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
　　直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
　　集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
　　发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
　　特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
　　集电*允许电流IC：0.1（A）
　　集电**大允许耗散功率PT：0.2（W）
　　*功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。