增特科技代理NEC硅*频低噪声功率管N型外延层三*管2SC3356T1B

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增特科技代理NEC现货供应硅*频低噪声功率管N型外延层三*管2SC3356T1B

封装:SOT23-*in

*少包装:3000Pcs/Reel

库存数量:30K(深圳现货,大批量订货一周)

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2SC3356描述:
  2SC3356硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHJF,UHF,CATV高频宽带低噪声放大器。

 

 

2SC3356参数:
  类别:NPN-硅通用晶体管
  集电*-发射*电压VCEO:12V
  集电*-基*电压VCBO:20V
  发射*-基*电压VEBO:3.0V
  集电*直流电流IC:100mA
  总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
  工作结温Tj:150℃
  贮存温度Tstg:-65~150℃
  电性能参数(TA=25℃):
  击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
  直流放大系数hFE:50~300
  集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
  发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
  特征频率fT:7.0GHz
  封装:SOT-23
  功率特性:*率
  *性:NPN型
  结构:扩散型
  材料:硅(Si)
  封装材料:塑料封装
  集电*允许电流:0.1(A)
  集电**大允许耗散功率:0.2(W)

 

封装形式

SOT23-3

型号/规格

2SC3356T1B

品牌/商标

NEC/日本电气

应用范围

功率