微波二*管 MOS芯片电容

MOS10Pf，击穿电压100V.MOS芯片电容产品由我厂研制的表面贴装新产品，它具有体积小、耐压高、漏电流小、温度性能好，*性高等特点，可广泛用于各种微波混合集成电路中作耦合、谐振、隔直、旁路等。外形为正方形，正反面电*均为镀金，接触电阻小、易贴焊。应用温度范围：-55℃~ 150℃。

材料

砷铝化镓(GaAlAs)

是否*

否

加工定制

否

备注

MOS芯片电容产品由我厂研制的表面贴装新产品，它具有体积小、耐压高、漏电流小、温度性能好，*性高等特点，可广泛用于各种微波混合集成电路中作耦合、谐振、隔直、旁

型号/规格

YG-M10

产品类型

MOS芯片电容

品牌/商标

双菱

用途

MOS芯片电容产品由我厂研制的表面贴装新产品，它具有体积小、耐压高、漏电流小、温度性能好，*性高等特点，可广泛用于各种微波混合集成电路中作耦合、谐振、隔直、旁

主要参数

MOS10Pf，击穿电压100V.

微波二*管

MOS芯片电容