*供应 高频场效应管 IRF3710 拆机场效应管

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    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

 

  (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;

 (2)场效应管的输入端电流*小,因此它的输入电阻很大。

 (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;

 (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数;

 (5)场效应管的*辐射能力强;

 (6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

ST7N80、IRF3710、IRFZ24N

材料

N-FET硅N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

拆机

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型

编号

1160