IRF520N原装。中国产地

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRF520NPbF

TO-220AB PKG

IR Hexfet TO-220AB

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

200 毫欧 @ 5.7A, 10V

100V

9.7A

4V @ 250µA

25nC @ 10V

330pF @ 25V

48W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

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