瓷片电容20PF 3KV

Ⅱ类高电介质电容器主要成份以钛酸钡为主而制成，因具有高的功率因数故称＂Ｈi-k＂此类电容器容量大，内部阻*小，低损耗，在电路中常作隔直流，旁路，耦合之用。 1、使用温度范围： -25 ～ 85℃ 2、静电容量： 1KHZ（Ⅱ类） 和25&plu*n;2℃以内、Vrms=1.0v , 不*过容量精度要求 3、测试电压： UR＜6KV , Ut=1.5 UR 500v ; 4、*缘阻*: 依额定电压&plu*n;3%印加60&plu*n;5秒*,I.R≥10000MΩ 5、损耗角正切值： Y5P Y5U Z5U DF＜2.5% ，Y5V DF＜5.0%