MOS场效应管2N60

地区:广东 中山
认证:

中山市古镇辉颖半导体器件厂

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HN2N60

本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。

芯片面积:2.80*2.20

*大额定值(Tc=25 °C)

参数*号额定值单位
漏-源电压Vds610 V
漏-栅电压Vdgr610 V
栅-源电压Vgs&plu*n;30 V
漏*电流(Tc=25°C)Id2 A
静态漏-源导通电阻Rds(on)4.5 Ω
耗散功率Pd 70  W 
*高工作温度Tj150 °C
贮存温度Tstg -55-150 °C

 

注明: 1、GATE         栅*

         2、DRAIN       漏*

         3、SOURCE     源*