HN2N60
本产品主要特点是开关速度快,主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。
芯片面积:2.80*2.20
*大额定值(Tc=25 °C)
参数 | *号 | 额定值 | 单位 |
漏-源电压 | Vds | 610 | V |
漏-栅电压 | Vdgr | 610 | V |
栅-源电压 | Vgs | &plu*n;30 | V |
漏*电流(Tc=25°C) | Id | 2 | A |
静态漏-源导通电阻 | Rds(on) | 4.5 | Ω |
耗散功率 | Pd | 70 | W |
*高工作温度 | Tj | 150 | °C |
贮存温度 | Tstg | -55-150 | °C |
注明: 1、GATE 栅*
2、DRAIN 漏*
3、SOURCE 源*