HN1N60
本产品主要特点是开关速度快，主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。
芯片面积：1.68*1.31
*大额定值（Tc=25 °C)
| 参数 | *号 | 额定值 | 单位 |
| 漏-源电压 | Vds | 610 | V |
| 漏-栅电压 | Vdgr | 610 | V |
| 栅-源电压 | Vgs | &plu*n;30 | V |
| 漏*电流（Tc=25°C) | Id | 1 | A |
| 静态漏-源导通电阻 | Rds(on) | 10 | Ω |
| 耗散功率 | Pd | 50 | W |
| *高工作温度 | Tj | 150 | °C |
| 贮存温度 | Tstg | -55-150 | °C |
注明： 1、GATE 栅*
2、DRAIN 漏*
3、SOURCE 源*
