供应场效应FQPF6N60

地区:广东 深圳
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型号:FQPF6N60C

品牌:FAIRCHILD/*童

封装:TO-220
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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF6N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3-5(V)

夹断电压

600(V)

跨导

290(μS)

*间电容

?(pF)

漏*电流

3600(mA)