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产品属性
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产品规格:
VDS= 20V
RDS(ON),,= 38mΩ
RDS(ON),,= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications 理想的锂电池应用
本店有多年实体店经营经验,*经营电子元器件,主营产品有知名品牌集成电路IC芯片,光耦,二*管,三*管,低压MOS场效应管,电源管理IC等电子元器件。货源稳定,价格优势!竭诚为各大厂家、商家提供一系列配套服务。
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台产GT
GT2300
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
YFW3G03LI SOT23-6L场效应管 YFW佑风微
YFW90N06AS-R TO-263场效应管 YFW佑风微
YFWG130N06AS-R TO-263场效应管 YFW佑风微
YFW60N25AT TO-220AB场效应管 YFW佑风微
现货*供应SI2312DS 4.9A/20V N沟道增强型MOS管
现货供应IRLML2803 IRLML2803TRPBF IR*原装N沟道MOS管
供应SI2302DS A2SHB VISHAY威士**原装低压贴片MOS管
SI2305DS现货*供应P沟道增强型低压MOS管 SOT-23封装
现货供应IRFP9240PBF IR场效应管 P沟道 原装 *十
现货供应*原装晶体管2S*713K SOT23-3封装