英飞凌原装IGBT单管IKW15T120
地区：北京 北京
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无
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产品属性
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| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：IKW15T120 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：L/功率放大 |
| 材料：N-FET硅N沟道 |
型号：IKW15T120
15A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒
Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 30A/15A；
VCE（sat）= 1.70V；
特点：
☆*大工作结温可达Tjmax≤150℃
☆正温被系数饱和压降易于并联
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术
☆硬开关频率Fk≤20KHZ
☆TO-247封装易于安装
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