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特征PNP硅外延,平面设计
集电*发射*电压VCE= -40V
集电*电流IC=-600mA
电压40V,电力225mW
否
PANJIT/强茂
M*T4403
功率
硅(Si)
PNP型
1(A)
1(W)
1(MHz)
合金型
贴片型
树脂封装
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