HAT2195R-EL-E 现货

地区:北京 北京
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HAT2195R-EL-E

产品品牌:Renesas Electronics

产品分类:MOSFET,GaNFET - 单

产品描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

*属性:Lead free / RoHS Compliant  

FET 型:FET 特点:开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25 C:漏*至源*电压(Vdss):电流 - 连续漏*(Id) @ 25 C:Id 时的 Vgs(th)(*大):闸电荷(Qg) @ Vgs:在 Vds 时的输入电容(Ciss) :功率 - *大:安装类型:封装/外壳:包装:
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
5.8 毫欧 @ 9A, 10V
30V
18A
-
23nC @
4.5V
3400pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SOIC(0.154",
3.90mm 宽)
带卷 (TR)

品牌/型号

HIT日本日立/HAT2195R-EL-E

种类

*缘栅MOSFET

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

0(V)

夹断电压

0(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型