深圳市弘创电子:供应NDS351AN-NL

地区:广东 深圳
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品牌:FAIRCHILD/*童型号:NDS351AN-NL种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:10(V) 夹断电压:4,5(V)
低频跨导:250UA(μS) *间电容:145(pF) *大漏*电流:1.4A(mA)
*大耗散功率:460(mW)

1.2A, 30卷RDS () = 0.25 W @ VGS = 4.5 V
RDS () = 0.16 W @ VGS = 10 V。
工业标准的概述SOT-23表面登上包裹*的using私有的SuperSOTTM-3设计thermal和电子能力。*低的RDS的高密度细胞设计()。
Exceptional在*和*大值DC潮流
capability.
Compact工业标准的SOT-23表面登上

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