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场效应管IRF1010E，IRF1010EPBF

地区：江苏 无锡
认证： 无

无锡东海旭日电子实业有限公司

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品牌：IDI美国国际器件型号：IRF1010E种类：结型(JFET)
沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：L/功率放大
封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：3（V）
夹断电压：60（V） 低频跨导：80（μS） *间电容：5000（pF）
低频噪声系数：1（dB） *大漏*电流：1（mA） *大耗散功率：1（mW）

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