| 品牌：TOSHIBA/东芝 | 型号：TK80E08 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：A/宽频带放大 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：3.5（V） |
| 夹断电压：75（V） | 低频跨导：80（μS） | *间电容：3000（pF） |
| 低频噪声系数：1（dB） | *大漏*电流：1（mA） | *大耗散功率：1（mW） |
东芝MOS:TK80E08,供SSF7509,TK80E08K3,供SSF7509,TK80E08K3,供SSF7509,TK80E08K3,
