供应贴片三*管 BCW66H 英飞凌

BCW66H 晶体管数据表。参数和特征。

名称: BCW66H

材料: Si

结构: npn

*大集电*功耗 (Pc): 350mW

*大集电*，基*电压 (Ucb): 45V

*大集电*发射*电压 (Uce): 45V

*大射*基*电压 (Ueb): 5V

*大集电*电流 (Ic max): 800mA

*高结温BCW66H(Tj): 150?C

跃迁频率 (ft): 100MHz

集电*电容 (Cc), Pf: 12

正向电流传输比 (hFE), min/max: 250MIN

制造商: 英飞凌

案例: SOT23