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TSF8N60M F代表塑封 TO-2220F
600V N-Channel MOSFET
Features■ 7.5A,600v,RDS(on)=1.0Ω@VGS=10V■ Gate charge (T*ical 30nC)■ High ruggedness■ Fast switching■ 100% AvalancheTested■ Improved dv/dt capability
韩国信安TSP
TSF8N60M
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
N-FET硅N沟道
YFW2301B SOT-23场效应管 YFW佑风微
YFWG100N10AD TO-252场效应管 YFW佑风微
YFW25N50AF TO-220F场效应管 YFW佑风微
YFW90P03AD TO-252场效应管 YFW佑风微
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