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一、概述
JK9610A型MOS管测试仪,是一种新颖的全数字显示式MOS管参数测试装置,可用于标称 电流约在2-85A,功率在300W以内的N沟导和P沟导MOS管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅*开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以*50A,由于采 用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对MOS管进行参数一致性的测试(配对);仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性 能十分*的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于MOS管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用*方便。
二、主要技术性能
1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。
3、栅*开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围:1—100 。
三、主要测试功能
1、MOS管的击穿电压VDSS、栅*开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅*开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、MOS管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。
4、对其它更大电流和MOS管及IGBT的测试:(见下面介绍)。
5、各类晶体三*管、二*管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。
四、测试盒与测试线
1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的MOS管和IGBT。
2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的MOS管和IGBT。
测试实例
型号 |
|
击穿电压 Vdss |
开启电压 Vgs(th) |
跨导S Gfs |
Gfs 测试电流 |
标称电流 ID |
标称功率 PD |
封装 |
IRF640 |
基本参数 |
200V |
2-4V |
≥6.8 |
|
|
150W |
TO-220 |
|
实测参数 |
225V |
3.0V |
12 |
|
|
|
|
IRF1010 |
基本参数 |
60V |
2-4V |
≥69 |
|
|
200W |
TO-220 |
|
实测参数 |
66V |
3.2V |
67 |
|
|
|
|
IRF3205 |
基本参数 |
55V |
2-4V |
≥44 |
|
|
200W |
TO-220 |
|
实测参数 |
60V |
2.9V |
68 |
|
|
|
|
FQP70N08 |
基本参数 |
80V |
2-4V |
41 |
|
|
155W |
TO-220 |
|
实测参数 |
86V |
3.2V |
46 |
|
|
|
|
75NF75 |
基本参数 |
75V |
2-4V |
20 |
|
|
300W |
TO-220 |
|
实测参数 |
81V |
3.6V |
52 |
|
|
|
|
IRFP064 |
基本参数 |
55V |
2-4V |
≥42 |
|
|
200W |
TO-* |
|
实测参数 |
67V |
2.5V |
57 |
|
|
|
|
2SK1120 |
基本参数 |
1000V |
2.5-5V |
4 |
|
|
150W |
TO-* |
|
实测参数 |
1086V |
2.3V |
5 |
|
|
|
|
G160N60 |
基本参数 |
600V |
3.5-6.5V |
* |
|
|
250W |
TO-247 |
|
实测参数 |
626V |
3.9V |
35 |
|
|
|
|
H40T120 |
基本参数 |
1200V |
5-6.5V |
21 |
|
|
270W |
TO-247 |
|
实测参数 |
1390V |
5.7V |
20 |
|
|
|
|
60N170D |
基本参数 |
1700V |
3.5-7.5V |
|
|
|
200W |
TO-247 |
|
实测参数 |
1798V |
4.8V |
30 |
|
|
|
|
JK9610A
金科