供应1UF 1200VDC保护电容器

地区:广东 深圳
认证:

天明伟业电子

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品牌:DAWN 型号:IGBT 介质材料:*薄膜
应用范围:高压 外形:方 功率特性:大功率
频率特:高频 调节方式:固定 引线类型:径向引出线
允许偏差:±10(%) 耐压值:3000(V) 等效串联电阻(*R):0(mΩ)
1(uF) 损耗:0 额定电压:1200(V)
 

线路,使用双面金属化电*,强化喷金接触和内部串联连接结构.

·脉冲保护结构

 

 

 

 

 

·具有自愈性能

 

 

 

 

 

·使用内部串联联接

 

 

 

 

 

·*低损耗因素和等效串联电阻

 

 

 

 

 

·*高的额定电流承载能力

 

 

 

 

 

·*高的DV/DT值

 

 

 

 

 

·温度变化对容量影响小

 

 

 

 

 

  应用于要求*高*性能的高脉冲和高频率电路

     

·应用于IGBT模块电路

资料




生产工业电容,谐振电容,吸收电容,直流支撑滤电容器,安规电容,CBB电容!
20uf800v 30uf800v 50uf800v 0.44uf2500v 0.47uf2500v 1.5uf1200v 30uf1200v 20uf 1200v
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型号/规格

1UF 1200VDC电容器

品牌/商标

DAWN

*类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

产品主要用途

工业电力电气设备

引出线类型

径向引线型

特征

圆柱体型

标称容量范围

1uf

额定电压范围

1200V

温度系数范围

80℃