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产品属性
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品牌:DAWN | 型号:IGBT | 介质材料:*薄膜 |
应用范围:高压 | 外形:方 | 功率特性:大功率 |
频率特:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 |
允许偏差:±10(%) | 耐压值:3000(V) | 等效串联电阻(*R):0(mΩ) |
1(uF) | 损耗:0 | 额定电压:1200(V) |
线路,使用双面金属化电*,强化喷金接触和内部串联连接结构. |
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·脉冲保护结构 |
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·具有自愈性能 |
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·使用内部串联联接 |
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·*低损耗因素和等效串联电阻 |
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·*高的额定电流承载能力 |
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·*高的DV/DT值 |
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·温度变化对容量影响小 |
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应用于要求*高*性能的高脉冲和高频率电路 |
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·应用于IGBT模块电路 资料
生产工业电容,谐振电容,吸收电容,直流支撑滤电容器,安规电容,CBB电容! |
1UF 1200VDC电容器
DAWN
普通型
直插式
散装
工业电力电气设备
径向引线型
圆柱体型
1uf
1200V
80℃