手机霍尔开关，规格齐全，大量现货信息手机霍尔开关

霍尔传感器简介

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855-1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

注：由于电子元件流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量、来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理,当来货量低于市场需求量则稍做上调处理。

优势产品展示：

极限参数

参数	符号	量值	单位
电源电压	V_CC	4.5～24	V
输出截止态电压	V_O	不限	V
输出电流	I_O	25	mA
工作环境温度	T_A	-40～85	℃
贮存温度	T_S	-55～150	℃

电特性 TA=25℃

参数	符号	测试条件	量值			单位
参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
电源电压	V_CC	V_CC=4.5V～24V	4.5	-	24	V
输出低电平电压	V_OL	V_CC=4.5V ,V_O=24V I_O=25mA,B≥ B_O_P	-	100	400	mV
输出漏电流	I_O_H	Vo=24V, B＜B_RP	-	＜1	10	μA
电源电流	I_CC	V_CC=24V, V_O开路	-	5.5	9.0	mA
输出上升时间	t_r	V_CC=12V R_L=820Ω C_L=20Pf	-	0.2	2.0	μS
输出下降时间	t_f	V_CC=12V R_L=820Ω C_L=20Pf	-	0.18	2.0	μS

磁特性 单位：mT

参数		型号及量值
		CS3144E
		最小	典型	最大
工作点磁感应强度(B_OP)	TA=25℃	7.0	-	25.0
工作点磁感应强度(B_OP)	全工作温度范围	3.5	-	30.0
释放点磁感应强度(B_RP)	TA=25℃	5.0	-	20.0
释放点磁感应强度(B_RP)	全工作温度范围	2.5	-	25.0
回差 (B_H)	TA=25℃	2.0	5.5	-
回差 (B_H)	全工作温度范围	2.0	5.5	-

极限参数

参数	符号	量值	单位
电源电压	V_CC	4.5～24	V
输出截止态电压	V_O	不限	V
输出电流	I_O	25	mA
工作环境温度	T_A	-40～85	℃
贮存温度	T_S	-55～150	℃

电特性 TA=25℃

参数	符号	测试条件	量值			单位
参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
电源电压	V_CC	V_CC=4.5V～24V	4.5	-	24	V
输出低电平电压	V_OL	V_CC=4.5V ,V_O=24V I_O=25mA,B≥ B_O_P	-	100	400	mV
输出漏电流	I_O_H	Vo=24V, B＜B_RP	-	＜1	10	μA
电源电流	I_CC	V_CC=24V, V_O开路	-	5.5	9.0	mA
输出上升时间	t_r	V_CC=12V R_L=820Ω C_L=20Pf	-	0.2	2.0	μS
输出下降时间	t_f	V_CC=12V R_L=820Ω C_L=20Pf	-	0.18	2.0	μS

磁特性 单位：mT

参数		型号及量值
		CS3144E
		最小	典型	最大
工作点磁感应强度(B_OP)	TA=25℃	7.0	-	25.0
工作点磁感应强度(B_OP)	全工作温度范围	3.5	-	30.0
释放点磁感应强度(B_RP)	TA=25℃	5.0	-	20.0
释放点磁感应强度(B_RP)	全工作温度范围	2.5	-	25.0
回差 (B_H)	TA=25℃	2.0	5.5	-
回差 (B_H)	全工作温度范围	2.0	5.5	-

注：磁场S极面对标志面时，B为“正”。1mT=10Gs；可根据用户的需求分档

使用注意事项：安装时应尽量减小作用到霍尔电路上的机械应力；焊接温度要低于260 ，时间小于5秒

型号/规格

MT1101BT MT1401AT

品牌/商标

HONEYWELL（霍尼韦尔）

电源电压

4.5～24

输出截止态电压

不限

输出电流

25

工作环境温度

-40～85

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