供应IR/IRFR3709ZPbFMOSFET N 通道

数据列表

IRFR3709ZPbF, IRFU3709ZPbF

产品相片

TO-263

标准包装

2,000

类别

分离式半导体产品

家庭

FET - 单

系列

HEXFET?

FET 型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点

逻辑电平门

漏*源*电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

86A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @25° C

6.5 毫欧 @15A，10V

Id 时的 Vgs(th)（*大）

2.25V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs

26nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds

2330pF @ 15V

功率 - *大

79W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

产品目录页面

1522 (CN2011-ZH PDF)

其它名称

IRFR3709ZPBFTR