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产品属性
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特点
•时钟频率:166,143,133 MHz的
•完全同步,所有引用到的信号时钟上升沿
•对隐藏行访问/预充电的内部银行
•单电源:3.3V 0.3V
•LVTTL接口
•可编程的突发长度
•可编程突发序列:顺序/交织
•自动刷新(CBR)
•自刷新
•4096刷新周期每16ms(A2级)或64毫秒(商业,工业,A1级)
•随机列地址每时钟周期
•可编程CAS延时(2?3个时钟)
•突发读/写和突发读/单写作战能力
•突发爆裂停止和预充电终止命令OPTIONS
•封装:86脚TSOP-II,90球TF-BGA
•工作温度范围:
商用(0℃至 70℃)
工业(-40oC至 85 oC)
汽车级,A1(-40oC至 85 oC)
汽车级,A2(在-40oC到 105 oC)
器件概述
128Mb的SDRAM是一种高速CMOS,动态设计为工作在3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq的内存系统包含134,217,728位。在内部配置为四银行的DRAM与同步接口。每33,554,432位银行组织4096行,256列32位。128Mb的SDRAM自动刷新模式,和节电省电模式下。所有信号都时钟信号CLK的正边缘上注册。所有的输入和输出的LVTTL的兼容。
128Mb的SDRAM有能力同步爆在高数据传输率的数据与自动列地址代的能力,内部银行之间的交互,隐藏预充电时间和能力,以随机在每个时钟周期改变列地址突发访问。
深圳市科盛元电子科技有限公司
姜先生
www.ksy-ic.com
单片机
ISSI
IS42S32400E-6TL
低功耗
86
TSSOP86
1220
STM32F105RBT6单片机芯片
8位ARM微控制器STM8S903K3T6CTR
STM32F429ZGT6微控制器ST(意法半导体)
微控制器单片机STM8S005K6T6C参数
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