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工作电压
− 内核电压为1.0V − IO电压为3.3V/ 2.5V,容限电压为5V − DDR2/3 SDRAM接口电压为1.8/1.5V 封装 − RoHS,EHS-FCBGA449 − 管脚间距:Core区域为0.8mm,其他区域为0.65mm − 19mmx19mm封装大小
HI3520ARFCV100
HISILICON
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