4N60 TO-251 大功率场效应管 结型场效应管 4n60 n沟道结型晶体管

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一、概述：种类元素半导体用途4N60  4A, 600V, RDS(on) = 2.3Ω@VGS= 10 VLow gate charge ( typical 25 nC)Low Crss ( typical 11 pF)Fast swi二、详细说明：