西铁城晶振

CL是晶振的负载电容,晶振在使用时对其负载电容是有要求的,以*晶振在正确的频率下振荡.32.768KHZ的晶振一般要求负载电容为6pf或12.5pf,在实际应用中需要对电容进行调节使晶振获得正确的振荡频率. 在本文设计的电路中Cl(或C2) 包括两部分的电容,一部分是片外电容。
另一部分使用片内集成的可调节的电容阵列,如图6所示,用四个MOS开关控制可变电容从0 到15pf变化,依次递增1pf.这样就可以直接通过控制字调节晶体负载电容的大小,以使晶体正确振荡在32.768KHZ.

*电路参数都设置好之后,使用Spectre进行电路*,可以得到晶振电路的起振过程及稳态下的波形.从图7(a)中可以清楚的看到晶振电路的起振过程,一般的起振时间需要几百个ms.稳定情况下invl的一端是正弦波,另一端是被放大了的近似方波,需要图1中所示的inv2进行整型得到外形较好的方波并提供*的驱动能力驱动后面的数字电路.
通过*还可以得到流过反相器的电流为1.4uA,晶体的功耗为0.1uW.

**

否

品牌/商标

西铁城晶振

型号/规格

西铁城晶振

种类

晶振

调整频差

56（MHz）

温度频差

89（MHz）

负载电容

8（pF）

负载谐振电阻

484（Ω）

激励电平

8（mW）

基准温度

8（℃）

*损耗

48（dB）

阻带衰减

4（dB）

输入阻*

4（kΩ）

输出阻*

44（kΩ）