3 电路设计及*
实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是*须留意的.
前面已经用Matlab计算出了gm的*大和*小值是分别如图5所示的14.5uS和0.7uS,电路中反相器的gm值*须在这两个值之间才能*正常振荡. 因此MOS管选取了较小的宽长比以*gm的要求.通过CadenceSpectre进行电路*得到的gm在各个corner下从6.3us到3.2u.s之间,满足要求.
偏置电阻R,使反相器invl工作在线性放大区,这样才能使反相用具有大的增益并使其振荡在确定频率.R1的推荐值是10到25MΩ之间.随着R1的*,反相器的增益随之*,使振荡器更快的起振并可以在较低的电源电压下维持振荡.
R2的作用是增加反相器的输出电阻并限制驱动晶振的电流的大小.R2的值*须*大以*晶振被过驱动而导致晶体损坏,32.768KHZ晶体的驱动功率*大值是1uW. 对于32.768KHZ的晶振,R2的值在200到300kΩ左右.
