石英, 西铁城晶振

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这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的*大值和*小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.

设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs*大值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm*须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的*大值和*小值.
3 电路设计及*
实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是*须留意的.
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品牌

西铁城晶振

型号

西铁城晶振

种类

晶振

调整频差

232(MHz)

温度频差

32(MHz)

总频差

32(MHz)

负载电容

3232(pF)

负载谐振电阻

323(Ω)

激励电平

23(mW)

基准温度

23(℃)

*损耗

232(dB)

阻带衰减

32(dB)

输入阻*

2(kΩ)

输出阻*

22(kΩ)