石英，西铁城晶振

这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的*大值和*小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.

设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs*大值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm*须落在竖线左边的半圆上. 竖线与半圆的两个交点分别是gm的*大值和*小值.
3 电路设计及*
实际电路按照图1搭建,除了晶体和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在电路内部, 器件模型选用的0.25um模型.在设置电路参数时有几点是*须留意的.

**

否

品牌

西铁城晶振

型号

西铁城晶振

种类

晶振

调整频差

232（MHz）

温度频差

32（MHz）

总频差

32（MHz）

负载电容

3232（pF）

负载谐振电阻

323（Ω）

激励电平

23（mW）

基准温度

23（℃）

*损耗

232（dB）

阻带衰减

32（dB）

输入阻*

2（kΩ）

输出阻*

22（kΩ）

石英， 西铁城晶振

石英，西铁城晶振