1、标称频率 该频率特指晶体技术条件中规定的频率，表示为MHz或KHz。
2、调整频差
标称频率在*温度（一般是25℃）下的允许偏差，表示为百分数（%）或*分之几（ppm）。
3、频率稳定性 稳定性是指标称频率在*温度范围内的允许偏差，规定在25℃下，此项偏差为0，以标称频率的百分数（%）或*分之几（ppm）来表示。如前所述，这个参数与石英晶片的切角密切相关。
4、工作温度范围 石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。
5、温度频差
在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25℃&plu*n;2℃）时工作频率的允许偏差。
6、储存温度 晶体在非工作状态下保持标准特性的温度范围。
7、激励功率 晶体工作时所消耗功率的表征值。
*大功率是大多数功率器件在*正常电气参数的情况下，维持工作所消耗的功率，单位为mW或uW。一般情况激励功率应维持在*石英晶体正常起振和稳定振荡所需要的值，以避免年老化特性不良和晶体损伤。
8、负载电容（CL） 与晶体一起决定负载谐振频率的*外界电容。任何外部电容一旦与石英晶体串联，即会成为其谐振频率的一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。
9、静态电容（C0） 等效电路中与串联臂并接的电容。
10、等效串联电阻（Rr） 晶体在谐振频率下的电阻值，单位为欧姆。
11、*缘电阻 引线之间或引线和壳体之间的电阻。
12、DLD2
在特定的功率范围内所测量到的*大与*小阻*的偏差量。
13、RLD2
在指定的变化功率范围内测量到的*大阻*。
14、老化 工作频率在特定时间范围内的变化量，一般表达为*大值，单位是每年频率变化量的*分之几（ppm/年）。频率*间而变化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。
