| 品牌/商标 |
FUI日本富士通 |
型号/规格 |
K2651 |
| 种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
A/宽频带放大 |
| 封装外形 |
P-DIT/塑料双列直插 |
材料 |
ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 |
900（V） |
夹断电压 |
10000（V） |
| 跨导 |
12（μS） |
*间电容 |
20（pF） |
| 低频噪声系数 |
15（dB） |
*大漏*电流 |
6（mA） |
| *大耗散功率 |
200（mW） |
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