| 品牌/商标 |
FCH美国范恰得 |
型号/规格 |
FQB30N06LTM |
| 种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
用途 |
MOS-INM/*组件 |
| 封装外形 |
CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 |
*肖特基势垒栅 |
| 开启电压 |
0（V） |
夹断电压 |
0（V） |
| 低频跨导 |
0（μS） |
*间电容 |
0（pF） |
| 低频噪声系数 |
0（dB） |
*大漏*电流 |
0（mA） |
| *大耗散功率 |
0（mW） |
| |
型号：FQB30N06LTM
封装：TO-263
品牌：*童
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