供应逆变IGBT模块工作原理、IGBT模块LWH100G1204Z（西玛华晶）

我司西玛华晶公司销售逆变IGBT模块各型号如下：
逆变IGBT模块LUH50G1202Z      逆变IGBT模块LUH75G1202Z     逆变IGBT模块LUH100G1202Z  
逆变IGBT模块LUH75G1202Z      逆变IGBT模块LUH150G1202Z    逆变IGBT模块LWH100G1204Z
逆变IGBT模块LWH200G1204Z     逆变IGBT模块LWH300G1204Z     逆变IGBT模块LWH200G1202Z
逆变IGBT模块LWH300G1202Z     逆变IGBT模块LWH200G1204Z     逆变IGBT模块LWH300G1204Z

逆变模块IGBT模块LWH100G1204Z特点：

 1、为每一项应用提供个性化的设备。

 2、嵌入式保护功能。

        *静电和瞬态电压保护。

     击穿保护。

 3、拥有阳性温度系数的低饱和降压。

逆变模块IGBT模块LWH100G1204Z典型应用：
工业电动机驱动器

焊接机
UPS/EPS

感应加热

IGBT是大功率、集成化的“*缘栅双*晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初*大功率双*型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降的优点。图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构，IGBT采用沟槽结构，以减少通态压降，*其频率特性。并采用NFT技术实现IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作为输入部分，其特性与N沟道增强型。MOS器件的转移特性相似，形成电压型驱动模式，用GTR作为输出部件，导通压降低、容量大，不同的是IGBT的集电*IC受栅一射电压UCE的控制，导通、关断由栅一射电压UCE决定。

公司还销售功率模块产品：
平板普通晶闸管(可控硅)：KP100A-5000A/400V-5000V
平板快速晶闸管(可控硅)：KK200A-3500A/1000V-3000V
平板高频晶闸管(可控硅)：KG(KA)200A-1500A/1000V-2000V
平板双向晶闸管(可控硅)：KS100A-1500A/400V-3000V
螺栓普通晶闸管(可控硅)：KP5A-500A/200V-2000V
平板普通硅整流管：ZP100A-12000A/400V-5000V
螺栓普通硅整流管：ZP5A-500A/200V-2000V
晶闸管模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2500V)
整流管模块:MDC,MDA,MDK(25A-800A/800V-2500V)
晶闸管整流管混合模块:MFC,MFA,MFK(25A-800A/800V-2500V)
整流桥模块:MDS60A-500A,MDQ60A-500A(800V-2000V)
各种配套的散热器:SS,SF,SZ,SL,PRD等全系列
欢迎经销商，代理商，厂家，终端客户来电来函垂询!!
可控硅、整流桥、模块等电力半导体制造专家!
单/三固态继电器系列 SSR-1/SSR-3
工业级固态继电器 H360**/H3100Z/H3200**/H38**/H3120**
固态调压器系列产品 SSVR 2W 270K 10A-100A
螺栓型普通整流二*管:ZP5A-500A/100V-2000V
螺栓普通晶闸管(可控硅):KP5A-500A/100V-2000V
平板型普通整流二*管:ZP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速整流二*管:ZK100A-5000A/100V-5000V
平板型普通晶闸管(可控硅):KP100A-5000A/100V-5000V
平板型快速晶闸管(可控硅):KK100A-3500A/100V-3000V
平板型双向晶闸管(可控硅):KS100A-1500A / 100V-3000V
平板型高频晶闸管(可控硅):KG(KA)100A-1500A/100V-2000V
晶闸管(可控硅)模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2000V)
整流管模块:MDC、MDA、MDK、MDS、MDQ(25A-800A/800V-2000V)
西门康可控硅,晶闸管模块SKKT106/16E
晶闸管整流管混合模块:MFC、MFA、MFK、MFQ(25A-800A/800V-2000V