供应西门康可控硅晶闸管模块SKKD162/16代理销售（西玛华晶）

　　(一)晶闸管正向转折电压VBO

　　晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门*(G)开路的条件下，在其阳*(A)与阴*(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。

　　(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM

　　断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)*间*大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。

　　(三)晶闸管通态平均电流IT

　　通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)*间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR

　　反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳*与阴*之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。

　　(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM

　　反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门*G断路时，允许加在A、K*间的*大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。

　　(六)晶闸管正向平均电压降VF

　　正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳*A与阴*K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。

　　(七)晶闸管门*触发电压VGT

　　门*触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳*与阴*之间为*值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的*小门*直流电压，一般为1.5V左右。

　　(八)晶闸管门*触发电流IGT

　　门*触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳*与阴*之间为*值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的*小门*直流电流。

　　(九)晶闸管门*反向电压

　　门*反向电压是指晶闸管门*上所加的额定电压，一般不*过10V。

　　(十)晶闸管维持电流IH

　　维持电流IH是指维持晶闸管导通的*小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。

　　(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR

　　断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向*大平均漏电电流值，一般小于100μA。

　　(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM

　　反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向*大漏电电流值，一般小于100μA